氮化硅中氟、氯的測(cè)定

電子級(jí)的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會(huì)對(duì)相關(guān)接觸部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以對(duì)氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準(zhǔn)確測(cè)定具有重要意義。

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流動(dòng)相：12 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-A-6

進(jìn)樣體積：25 μL

前處理：稱取適量樣品（準(zhǔn)確記錄質(zhì)量，精確到 0.0001 g）于樣品舟中，經(jīng)燃燒離子色譜進(jìn)樣分析。同時(shí)做樣品舟空燒對(duì)照組分析。

色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

氮化硅中氟、氯的譜圖